ESD静电保护二极管 - 安徽省富捷科技电子有限公司

产品信息二极管ESD静电保护二极管

产品系列

工作电压：: 全部 2.833.34.55781012151824263612/3615/247/12

击穿电压：: 全部 33.53.63.73.844.555.55.65.866.577.588.59121313.313.51415.31616.519.5202626.526.62838404514/4016.5/267.5/13.3

钳位电压：: 全部 2020.52224253033343536404550556014~251625/4032~6054366.577.588.599.51011121313.514151818.519

浪涌电流：: 全部 344.555.5678910111214151617181920222324253032405060708010011013018020030015/39/62.5

结电容：: 全部 0.250.30.350.40.60.811.21.533.55781012131520253035405055607080901001101201351401501802002203004005006006608008501000110014001500180032000.218

封装：: 全部 DFN0603-2LDFN1006-2LDFN1006-3LDFN1610-2LDFN1610-6DFN2510-10LDFN2X2-3LSOD-323SOD-523SOD-923SOP-8SOT-143SOT-23SOT-353SOT-363SOT-523SOT-563SOT23-6SOT-553

价格：

￥

——

￥

关键词：

排序：

默认

价格

时间

筛选：

SM12.N

BORN伯恩半导体

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

CEST23NC12VU

CREATEK(达晶微)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

RLST23A122V

RUILON(瑞隆源)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

PESD12VS2UT

UMW(友台半导体)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

CESD12VAP

CJ（江苏长电/长晶）

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

PESD12VS2UT,215

Nexperia(安世)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

ESDA14V2L

BORN伯恩半导体

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

SET23A12L02-E18

Brightking(台湾君耀)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

LGSOT12CLT1G

LRC(乐山无线电)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

SM12T1G

ON(安森美)

12

13.5

18

15

100

M12

SOT-23

MMBZ6V8A

ON(安森美)

7

7.5

11

25

180

M07

SOT-23

5

6.5

8.5

20

150

M05

SOT-23

PSOT05C

Protek Devices

5

6

9

16

120

M05

SOT-23

MST23C242V

Me-TECH(美台高科)

5

6

9

16

120

M05

SOT-23

SM05

UMW(友台半导体)

5

6

9

16

120

M05

SOT-23

MA3075WALT1G

ON(安森美)

5

6

9

16

120

M05

SOT-23

CEST23NC5VU-M

CREATEK(达晶微)

5

6

9

16

120

M05

SOT-23

5

6

8

10

120

B 05C

SOT-23

5

6

9

15

150

M05

SOT-23

SM05T1G

ON(安森美)

5

6

9

30

220

M05

SOT-23

型号

代替型号

代替型号

工作电压

击穿电压

钳位电压

浪涌电流

结电容

印字

封装

规格书

Type

型号

品牌

VRWM(V)

VBR(V)

VC(V)

IPP(A)

Cj(pF)

Marking

Package

Datasheet